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BZV86-3V2113

更新时间: 2024-11-02 03:15:55
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode

BZV86-3V2113 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:STABISTOR DIODE最大正向电压 (VF):3.45 V
正向电压最小值(VF):2.85 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.33 W
认证状态:Not Qualified反向测试电压:5 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL

BZV86-3V2113 数据手册

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