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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 20 OHMS |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | STABISTOR DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | 正向电压最小值（VF）： | 1.3 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.33 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向测试电压： | 5 V | 子类别： | Stabistor Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZV86-2V0 | NXP |
获取价格 |
Low-voltage stabistors |
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| BZV86-2V0113 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BZV86-2V0116 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BZV86-2V0133 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BZV86-2V0136 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BZV86-2V0143 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BZV86-2V0153 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BZV86-2V0AMO | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode |
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| BZV86-2V0T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Stabistor Diode, 1.5V V(FM), |
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| BZV86-2V6 | NXP |
获取价格 |
Low-voltage stabistors |
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