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BZV86-2V6T/R

更新时间: 2024-09-15 20:07:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 27K
描述
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Stabistor Diode

BZV86-2V6T/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.66
其他特性:DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 32.5 OHMS外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:STABISTOR DIODE最大正向电压 (VF):2.8 V
正向电压最小值(VF):2.35 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.33 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BZV86-2V6T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZV86 series  
Low-voltage stabistors  
1996 Mar 21  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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