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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.66 |
| 其他特性： | DIFFERENTIAL RESISTANCE IS 32.5 OHMS | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | STABISTOR DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 2.8 V |
| 正向电压最小值（VF）： | 2.35 V | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.33 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向测试电压： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZV86-2V6T/R | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2 | NXP |
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Low-voltage stabistors |
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| BZV86-3V2113 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2116 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2133 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2136 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2143 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2153 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2AMO | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode |
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| BZV86-3V2T/R | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Stabistor Diode |
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