生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.64 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | STABISTOR DIODE | 最大正向电压 (VF): | 2.15 V |
正向电压最小值(VF): | 1.85 V | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.33 W |
认证状态: | Not Qualified | 反向测试电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BZV86-2V0133 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-2V0136 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-2V0143 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-2V0153 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-2V0AMO | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode | |
BZV86-2V0T/R | PHILIPS |
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Stabistor Diode, 1.5V V(FM), | |
BZV86-2V6 | NXP |
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Low-voltage stabistors | |
BZV86-2V6113 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-2V6116 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode | |
BZV86-2V6133 | NXP |
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DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |