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BYV32EB-200,118

更新时间： 2024-11-21 21:12:15
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恩智浦 - NXP 超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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描述
BYV32EB-200

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BYV32EB-200,118 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：PLASTIC, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.37
其他特性：FAST SWITCHING应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：137 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.025 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

BYV32EB-200,118 数据手册

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BYV32EB-200  
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V  
Rev. 04 — 2 March 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Ultrafast dual epitaxial rectifier diode in a SOT404 (D2PAK) surface-mountable plastic  
package.  
1.2 Features and benefits  
„ High reverse voltage surge capability  
„ High thermal cycling performance  
„ Low thermal resistance  
„ Soft recovery characteristic minimizes  
power consuming oscillations  
„ Surface-mountable package  
„ Very low on-state loss  
1.3 Applications  
„ Output rectifiers in high-frequency  
switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
200  
20  
Unit  
V
VRRM  
IO(AV)  
repetitive peak reverse voltage  
average output current  
-
-
-
-
square-wave pulse; δ = 0.5;  
A
T
mb ≤ 115 °C; both diodes conducting;  
see Figure 1; see Figure 2  
IRRM  
repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
-
-
-
-
0.2  
8
A
VESD  
electrostatic discharge voltage HBM; C = 250 pF; R = 1.5 kΩ; all pins  
kV  
Dynamic characteristics  
trr  
reverse recovery time  
IF = 1 A; VR = 30 V; dIF/dt = 100 A/µs;  
Tj = 25 °C; ramp recovery; see Figure 5  
-
-
20  
10  
25  
20  
ns  
ns  
IR = 1 A; IF = 0.5 A; Tj = 25 °C; measured  
at reverse current = 0.25 A; step  
recovery; see Figure 6  
Static characteristics  
VF  
forward voltage  
IF = 8 A; Tj = 150 °C; see Figure 4  
-
0.72  
0.85  
V
 
 
 
 
 
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BYV32EB-200,118 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BYV32EB-200 NXP

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