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BYG26DT/R

更新时间: 2024-11-15 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
12页 64K
描述
DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode

BYG26DT/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-214AC
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.83
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-214AC
JESD-30 代码:R-PDSO-C2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.03 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BYG26DT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BYG26 series  
SMA ultra fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
Product specification  
2000 Feb 14  

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