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BYG50D-T

更新时间: 2024-01-27 02:19:54
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 41K
描述
SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2

BYG50D-T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-214AC
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.74配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ACJESD-30 代码:R-PDSO-C2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.7 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-134
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:2 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BYG50D-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
M3D168  
BYG50 series  
Controlled avalanche rectifiers  
1996 May 24  
Preliminary specification  

与BYG50D-T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BYG50DT/R PHILIPS Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 200V V(RRM),

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BYG50DT/R NXP 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN

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