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BYG50KT/R

更新时间: 2024-11-15 20:58:23
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飞利浦 - PHILIPS 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 309K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 800V V(RRM),

BYG50KT/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.83
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:2.1 A
最大重复峰值反向电压:800 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

BYG50KT/R 数据手册

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