是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.83 |
配置: | SINGLE | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 30 A | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 2.1 A |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYG50M | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers | |
BYG50M | TAYCHIPST |
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Controlled avalanche rectifiers | |
BYG50M | SENO |
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1.0A SURFACE MOUNT RECTIFIER | |
BYG50M/T1 | NXP |
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DIODE 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SOD-106, 2 PIN, Rectifier Diode | |
BYG50M-T | NXP |
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DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode | |
BYG50MT/R | NXP |
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1000V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN | |
BYG50MT/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 1000V V(RRM), | |
BYG60 | NXP |
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Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers | |
BYG60D | NXP |
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Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers | |
BYG60D-T | NXP |
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DIODE 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |