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BYG60DT/R

更新时间: 2024-01-28 22:13:38
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飞利浦 - PHILIPS 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 311K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1.9A, 200V V(RRM),

BYG60DT/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-J2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.92应用:FAST SOFT RECOVERY MEDIUM POWER
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-J2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:25 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.25 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)端子形式:J BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BYG60DT/R 数据手册

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