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BYG60DT/R

更新时间: 2024-11-15 21:16:47
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飞利浦 - PHILIPS 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 311K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1.9A, 200V V(RRM),

BYG60DT/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:25 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1.9 A
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.25 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)Base Number Matches:1

BYG60DT/R 数据手册

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