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BYG60GT/R

更新时间： 2024-02-26 19:32:46

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	60K
描述
DIODE 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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BYG60GT/R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-J2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.92	应用：	FAST SOFT RECOVERY MEDIUM POWER
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-J2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	25 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.25 µs
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn80Pb20)	端子形式：	J BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

k, halfpage

M3D168

BYG60 series

Fast soft-recovery

controlled avalanche rectifiers

Product speciﬁcation

2000 Jul 03

Supersedes data of 1996 June 05

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYG60J	NXP	获取价格	Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYG60J/T1	NXP	获取价格	DIODE 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SOD-106, 2 PIN, Rectifier Diode
BYG60J-T	NXP	获取价格	DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG60JT/R	NXP	获取价格	DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG60K	NXP	获取价格	Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYG60K-T	NXP	获取价格	DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG60KT/R	NXP	获取价格	DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, Rectifier Diode
BYG60M	NXP	获取价格	Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYG60M/T1	NXP	获取价格	DIODE 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SOD-106, 2 PIN, Rectifier Diode
BYG60M/T3	NXP	获取价格	DIODE 0.65 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, Signal Diode