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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-PDSO-J2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.92 | 应用： | FAST SOFT RECOVERY MEDIUM POWER |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-J2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 25 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 1.5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向恢复时间： | 0.25 µs |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) | 端子形式： | J BEND |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BYG60JT/R | NXP | DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYG60K | NXP | Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
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| BYG60K-T | NXP | DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYG60KT/R | NXP | DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, Rectifier Diode |
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| BYG60M | NXP | Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
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|
| BYG60M/T1 | NXP | DIODE 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SOD-106, 2 PIN, Rectifier Diode |
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