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BYG70DT/R

更新时间: 2024-02-16 12:37:44
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
6页 40K
描述
0.39A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN

BYG70DT/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.8
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):3.6 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:20 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1 A
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.03 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)Base Number Matches:1

BYG70DT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
, halfpage  
8  
BYG70 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
1996 Jun 05  
Preliminary specification  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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0.39A, 600V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN
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