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BYG80D-T

更新时间: 2024-02-29 01:37:38
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
20页 108K
描述
DIODE 1.6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYG80D-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-214AC
JESD-30 代码:R-PDSO-C2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.65 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BYG80D-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
68  
BYG80 series  
Ultra fast low-loss  
controlled avalanche rectifiers  
1997 Nov 25  
Product specification  
Supersedes data of 1996 May 24  

与BYG80D-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG80DT/R NXP

获取价格

0.95A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN
BYG80E NXP

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DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG80E-T NXP

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DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG80F NXP

获取价格

Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYG80F-T NXP

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DIODE 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG80G NXP

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Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYG80G/T3 NXP

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DIODE 0.85 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN, Signal Diode
BYG80G-T NXP

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暂无描述
BYG80J NXP

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Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYG80J/T3 NXP

获取价格

DIODE 0.65 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN, Signal Diode