BYG80E

更新时间： 2024-09-26 13:00:03

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恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
20页	108K
描述
DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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BYG80E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-J2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	应用：	ULTRA FAST RECOVERY MEDIUM POWER
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-J2
最大非重复峰值正向电流：	32 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	J BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

k, halfpage

M3D168

BYG80 series

Ultra fast low-loss

controlled avalanche rectifiers

1997 Nov 25

Product speciﬁcation

Supersedes data of 1996 May 24

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYG80E-T	NXP	获取价格	DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG80F	NXP	获取价格	Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYG80F-T	NXP	获取价格	DIODE 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG80G	NXP	获取价格	Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYG80G/T3	NXP	获取价格	DIODE 0.85 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN, Signal Diode
BYG80G-T	NXP	获取价格	暂无描述
BYG80J	NXP	获取价格	Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYG80J/T3	NXP	获取价格	DIODE 0.65 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN, Signal Diode
BYG80J-T	NXP	获取价格	DIODE 0.65 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, Signal Diode
BYG80JT/R	NXP	获取价格	DIODE 0.65 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN, Signal Diode