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BYG77GT/R

更新时间: 2024-02-09 01:46:48
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
12页 82K
描述
DIODE 0.8 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Signal Diode

BYG77GT/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.8 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

BYG77GT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BYD77 series  
Ultra fast low-loss  
controlled avalanche rectifiers  
Product specification  
1999 Nov 15  
Supersedes data of 1996 May 24  

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