5秒后页面跳转
BYG80J-T PDF预览

BYG80J-T

更新时间: 2024-11-15 15:44:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 111K
描述
DIODE 0.65 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, Signal Diode

BYG80J-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-214AC
JESD-30 代码:R-PDSO-C2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.65 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BYG80J-T 数据手册

 浏览型号BYG80J-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BYG80J-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BYG80J-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BYG80J-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BYG80J-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BYG80J-T的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
68  
BYG80 series  
Ultra fast low-loss  
controlled avalanche rectifiers  
1997 Nov 25  
Product specification  
Supersedes data of 1996 May 24  

与BYG80J-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG80JT/R NXP

获取价格

DIODE 0.65 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN, Signal Diode
BYG80SERIES ETC

获取价格

Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYG85B NXP

获取价格

Fast soft-recovery rectifier
BYG85B/T3 NXP

获取价格

0.98A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN
BYG90-20 NXP

获取价格

Schottky barrier rectifier diodes
BYG90-20115 NXP

获取价格

1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE
BYG90-20-T NXP

获取价格

1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE
BYG90-20T/R PHILIPS

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM),
BYG90-20T/R NXP

获取价格

1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE
BYG90-30 NXP

获取价格

Schottky barrier rectifier diodes