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BYG80A-T

更新时间: 2024-11-15 12:59:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
20页 108K
描述
DIODE 1.6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYG80A-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-J2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
应用:ULTRA FAST RECOVERY MEDIUM POWER配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-J2最大非重复峰值正向电流:32 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:1.6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BYG80A-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
68  
BYG80 series  
Ultra fast low-loss  
controlled avalanche rectifiers  
1997 Nov 25  
Product specification  
Supersedes data of 1996 May 24  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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DIODE 0.95 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, DO-214AC, 2 PIN, Signal Dio