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BYG80DT/R

更新时间: 2024-02-13 02:21:40
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 111K
描述
0.95A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN

BYG80DT/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.88
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.93 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:36 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1.6 A
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.025 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)

BYG80DT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
68  
BYG80 series  
Ultra fast low-loss  
controlled avalanche rectifiers  
1997 Nov 25  
Product specification  
Supersedes data of 1996 May 24  

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