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BYG80D

更新时间: 2024-01-13 14:12:52
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 104K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM),

BYG80D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.93 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:36 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1.6 A
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.025 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)Base Number Matches:1

BYG80D 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
68  
BYG80 series  
Ultra fast low-loss  
controlled avalanche rectifiers  
1997 Nov 25  
Product specification  
Supersedes data of 1996 May 24  

与BYG80D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG80D/T1 NXP

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DIODE 0.95 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, DO-214AC, 2 PIN, Signal Dio
BYG80D-T NXP

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BYG80DT/R NXP

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0.95A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN
BYG80E NXP

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DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG80E-T NXP

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DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG80F NXP

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Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYG80F-T NXP

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DIODE 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG80G NXP

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Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYG80G/T3 NXP

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DIODE 0.85 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN, Signal Diode
BYG80G-T NXP

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暂无描述