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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.93 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 36 A | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 1.6 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.025 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYG80D/T1 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.95 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, DO-214AC, 2 PIN, Signal Dio |
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| BYG80D-T | NXP |
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DIODE 1.6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYG80DT/R | NXP |
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0.95A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN |
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| BYG80E | NXP |
获取价格 |
DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYG80E-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYG80F | NXP |
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Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers |
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| BYG80F-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYG80G | NXP |
获取价格 |
Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers |
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| BYG80G/T3 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.85 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, MSA474, 2 PIN, Signal Diode |
|
| BYG80G-T | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
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