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BYG60M-T

更新时间: 2024-11-15 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
6页 66K
描述
1.5A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYG60M-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-J2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N应用:FAST SOFT RECOVERY MEDIUM POWER
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-J2
最大非重复峰值正向电流:25 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:1.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.3 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:J BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BYG60M-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
BYG60 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
1996 Jun 05  
Preliminary specification  
File under Discrete Semiconductors, SC01  
 
 

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