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BYG60KT/R

更新时间: 2024-09-23 15:28:55
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恩智浦 - NXP 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网快速软恢复中等电源光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, Rectifier Diode

BYG60KT/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-C2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.92应用:FAST SOFT RECOVERY MEDIUM POWER
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-214AC
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:25 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:1.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向恢复时间:0.3 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BYG60KT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
BYG60 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
Product specification  
2000 Jul 03  
Supersedes data of 1996 June 05  

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