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BYG60M/T3

更新时间: 2024-01-09 19:12:52
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
DIODE 0.65 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, Signal Diode

BYG60M/T3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.56
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ACJESD-30 代码:R-PDSO-C2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.65 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.3 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BYG60M/T3 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
BYG60 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
Product specification  
2000 Jul 03  
Supersedes data of 1996 June 05  

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