5秒后页面跳转
BYG60M/T3 PDF预览

BYG60M/T3

更新时间: 2024-11-15 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
DIODE 0.65 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, Signal Diode

BYG60M/T3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.56
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ACJESD-30 代码:R-PDSO-C2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.65 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.3 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BYG60M/T3 数据手册

 浏览型号BYG60M/T3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BYG60M/T3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BYG60M/T3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BYG60M/T3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BYG60M/T3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BYG60M/T3的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
BYG60 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
Product specification  
2000 Jul 03  
Supersedes data of 1996 June 05  

与BYG60M/T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG60M-T NXP

获取价格

1.5A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE
BYG60MT/R NXP

获取价格

1.5A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE
BYG70 NXP

获取价格

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYG70D NXP

获取价格

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYG70D-T NXP

获取价格

0.39A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
BYG70DT/R NXP

获取价格

0.39A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN
BYG70G NXP

获取价格

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYG70G-T NXP

获取价格

0.39A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
BYG70J NXP

获取价格

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYG70J/T3 ETC

获取价格

DIODE ULTRA FAST RECOVERY SMD