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BYG60D-T

更新时间: 2024-11-16 03:06:07
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恩智浦 - NXP 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网快速软恢复中等电源光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 60K
描述
DIODE 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYG60D-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-J2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:FAST SOFT RECOVERY MEDIUM POWER配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-J2最大非重复峰值正向电流:25 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.25 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:J BEND端子位置:DUAL

BYG60D-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
BYG60 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
Product specification  
2000 Jul 03  
Supersedes data of 1996 June 05  

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