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BYG50GT/R

更新时间: 2024-02-01 17:51:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
6页 43K
描述
400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN

BYG50GT/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.83
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:2.1 A
最大重复峰值反向电压:1000 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

BYG50GT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
M3D168  
BYG50 series  
Controlled avalanche rectifiers  
1996 May 24  
Preliminary specification  

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