Datasheet > BYG50K

BYG50K

更新时间： 2024-01-05 05:10:35

品牌	Logo	应用领域
台芯 - TAYCHIPST		/
页数	文件大小	规格书
3页	4790K
描述
Controlled avalanche rectifiers

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BYG50K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.83
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	2.1 A
最大重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BYG50K 数据手册

BYG50D THRU BYG50M

200V-1000V

0.7A-2.1A

Controlled avalanche rectiﬁers

FEATURES

• Glass passivated

• High maximum operating

temperature

• Low leakage current

• Excellent stability

• Guaranteed avalanche energy

absorption capability

• UL 94V-O classified plastic

package

• Shipped in 12 mm embossed tape.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_RRM

repetitive peak reverse voltage

BYG50D

−

200

400

600

800

BYG50G

BYG50J

BYG50K

BYG50M

−

1000

V_R

continuous reverse voltage

BYG50D

−

200

400

BYG50G

BYG50J

600

BYG50K

800

BYG50M

1000

I_F(AV)

2.1

average forward current

averaged over any 20 ms

period; T_tp= 100 °C; see Fig.2

−

1.0

0.7

averaged over any 20 ms

period; Al₂O₃PCB mounting (see

Fig.7); T_amb= 60 °C; see Fig.3

averaged over any 20 ms

period; epoxy PCB mounting

(see Fig.7); T_amb= 60 °C;

see Fig.3

I_FSM

non-repetitive peak forward current

t = 10 ms half sinewave;

T_j= T_{j max}prior to surge;

V_R= V_RRMmax

−

E-mail: sales@taychipst.com

Web Site: www.taychipst.com

1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与BYG50K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYG50K-T	NXP	获取价格	DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode
BYG50KT/R	PHILIPS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 800V V(RRM),
BYG50M	NXP	获取价格	Controlled avalanche rectifiers
BYG50M	TAYCHIPST	获取价格	Controlled avalanche rectifiers
BYG50M	SENO	获取价格	1.0A SURFACE MOUNT RECTIFIER
BYG50M/T1	NXP	获取价格	DIODE 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SOD-106, 2 PIN, Rectifier Diode
BYG50M-T	NXP	获取价格	DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode
BYG50MT/R	NXP	获取价格	1000V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN
BYG50MT/R	PHILIPS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 1000V V(RRM),
BYG60	NXP	获取价格	Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers