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BYG50G-T

更新时间: 2024-11-15 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
6页 43K
描述
DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode

BYG50G-T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-214AC
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.74Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-214AC
JESD-30 代码:R-PDSO-C2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.7 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-134最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:2 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BYG50G-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
M3D168  
BYG50 series  
Controlled avalanche rectifiers  
1996 May 24  
Preliminary specification  

与BYG50G-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG50GT/R PHILIPS

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Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 400V V(RRM),
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