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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.83 |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 30 A | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 2.1 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BYG50G/T1 | NXP | DIODE 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SOD-106, 2 PIN, Rectifier Diode |
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| BYG50G/T3 | NXP | 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN |
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| BYG50G-T | NXP | DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode |
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| BYG50GT/R | PHILIPS | Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 400V V(RRM), |
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| BYG50GT/R | NXP | 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN |
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| BYG50J | NXP | Controlled avalanche rectifiers |
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