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BYG26JT/R

更新时间: 2024-02-13 22:13:54
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
12页 64K
描述
DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode

BYG26JT/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-214AC
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.83
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ACJESD-30 代码:R-PDSO-C2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.03 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BYG26JT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BYG26 series  
SMA ultra fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
Product specification  
2000 Feb 14  

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200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, PMOS, 2 PIN
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SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2
BYG50DT/R PHILIPS

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Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 200V V(RRM),