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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYD11KT/R | NXP |
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DIODE 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11KT/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 800V V(RRM), |
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| BYD11M | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD11M113 | NXP |
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DIODE 0.37 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11M133 | NXP |
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DIODE 0.37 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11M143 | NXP |
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DIODE 0.37 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD12 | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD123 | NXP |
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Ultra fast low-loss rectifier |
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| BYD127 | NXP |
获取价格 |
Ultra fast low-loss rectifier |
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| BYD127,135 | NXP |
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DIODE 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SOD-87, 2 PIN, Rectifi |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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