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BYD11M

更新时间: 2024-11-08 22:09:55
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
7页 48K
描述
Controlled avalanche rectifiers

BYD11M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-134最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:3 µs表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BYD11M 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BYD11 series  
Controlled avalanche rectifiers  
1996 Sep 26  
Product specification  
Supersedes data of April 1996  

与BYD11M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYD11M113 NXP

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DIODE 0.37 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYD11M133 NXP

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BYD127,135 NXP

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