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BYD13D

更新时间： 2024-11-18 06:44:51
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页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
CONTROLLED AVALANCHE RECTIFIER DIODES

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BYD13D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.05 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：20 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：1.4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：1 µA
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL

BYD13D 数据手册

 浏览型号BYD13D的Datasheet PDF文件第2页 
CONTROLLED AVALANCHE  
RECTIFIER DIODES  
BYD13D - BYD13M  
PRV : 200 - 1000 Volts  
Io : 1.4 Amperes  
DO - 41  
1.00 (25.4)  
0.107 (2.72)  
MIN.  
FEATURES :  
0.080 (2.03)  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
0.205 (5.20)  
0.160 (4.10)  
0.034 (0.86)  
0.028 (0.71)  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Pb / RoHS Free  
1.00 (25.4)  
MIN.  
MECHANICAL DATA :  
* Case : DO-41 Molded plastic  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guaranteed  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Polarity : Color band denotes cathode end  
* Mounting position : Any  
* Weight : 0.339 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
°
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
BYD  
13D  
BYD  
13G  
BYD  
13J  
BYD  
13K  
BYD  
13M  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
200  
140  
200  
225  
1600  
400  
280  
400  
450  
1600  
600  
420  
600  
650  
1600  
1.4  
800  
560  
800  
900  
1600  
1000  
700  
V
V
V
V
V
A
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
1000  
1100  
1600  
Minimum Reverse Avalanche Breakdown Voltage  
Maximum Reverse Avalanche Breakdown Voltage  
Maximum Average Forward Current Ttp = 55°C  
Maximum Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Maximum Forward Voltage drop per Diode at IF = 1.0 A  
V(BR)R-min  
V(BR)R-max  
IF(AV)  
IFSM  
20  
A
VF  
IR  
1.05  
1
V
Maximum DC reverse Current  
at rated DC Block Voltage  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ = 25 °C  
mA  
mA  
°C  
°C  
IR(H)  
TJ  
100  
175  
TJ = 165 °C  
TSTG  
- 65 to + 175  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : March 25, 2005  
12

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与BYD13D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYD13DGP VISHAY

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 		Avalanche Glass Passivated Junction Rectifier
BYD13DGP-E3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, LEAD FREE, PLAS
BYD13DGP-HE3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, LEAD FREE, PLAS
BYD13DGPHE3/54 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT,
BYD13DGP-HE3/54 VISHAY

获取价格

 		1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
BYD13DGP-HE3/73 VISHAY

获取价格

 		1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
BYD13DT/R NXP

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 		DIODE 1.4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYD13G TAYCHIPST

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