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BYD13DGP-HE3/54

更新时间： 2024-11-18 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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BYD13DGP-HE3/54 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：3 µs
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYD13DGP-HE3/54 数据手册

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BYD13DGP thru BYD13MGP  
New Product  
Vishay General Semiconductor  
Avalanche Glass Passivated Junction Rectifier  
FEATURES  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Avalanche surge capability guaranteed  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current, typical I less than 0.1 µA  
R
• High forward surge capability  
*Glass Encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602,  
brazed-lead assembly  
to Patent No. 3,930,306  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
DO-204AL (DO-41)  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power  
supply, inverters, converters and freewheeling  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
applications  
telecommunication.  
for  
consumer,  
automotive  
and  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
ERSM  
VF  
1.0 A  
200 V to 1000 V  
30 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AL, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
7 mJ  
1.1 V, 1.2 V  
5.0 µA  
IR  
Tj max.  
175 °C  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL BYD13DGP BYD13GGP BYD13JGP BYD13KGP BYD13MGP UNIT  
Device marking code  
13DGP  
200  
13GGP  
400  
13JGP  
600  
13KGP  
800  
13MGP  
1000  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VDC  
V
V
200  
400  
600  
800  
1000  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5 mm) lead length (see Fig. 1)  
IF(AV)  
1.0  
30  
7
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
Non-repetitive peak reverse avalanche energy  
at L = 120 mH, Tj = Tj max. prior to surge  
ERSM  
mJ  
µA  
°C  
Maximum full load reverse current, full cycle  
average, 0.375" (9.5 mm) lead lengths  
at TA = 75 °C  
IR(AV)  
30  
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Document Number 88913  
19-May-06  
www.vishay.com  
1
1234

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与BYD13DGP-HE3/54相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYD13DGP-HE3/73 VISHAY

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 		1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
BYD13DT/R NXP

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 		DIODE 1.4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYD13G TAYCHIPST

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 		Controlled avalanche rectifiers
BYD13G EIC

获取价格

 		CONTROLLED AVALANCHE RECTIFIER DIODES
BYD13G NXP

获取价格

 		Controlled avalanche rectifiers
BYD13GGP VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41,
BYD13GGP-E3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, LEAD FREE, PLAS
BYD13GGP-HE3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, LEAD FREE, PLAS
BYD13GGPHE3/54 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT,
BYD13GGP-HE3/54 VISHAY

获取价格

 		1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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