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BYD12D

更新时间: 2024-11-17 22:09:55
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
8页 53K
描述
Controlled avalanche rectifiers

BYD12D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.82 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-134最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BYD12D 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BYD12 series  
Controlled avalanche rectifiers  
1998 Dec 03  
Preliminary specification  

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