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BYD12M

更新时间: 2024-09-24 22:09:55
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恩智浦 - NXP 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 53K
描述
Controlled avalanche rectifiers

BYD12M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.82 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-134
最大重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BYD12M 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BYD12 series  
Controlled avalanche rectifiers  
1998 Dec 03  
Preliminary specification  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT,
BYD13DGP-HE3/54 VISHAY

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1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN