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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.06 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 10 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.5 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | IEC-134 |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向恢复时间： | 3 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYD11M | NXP |
获取价格 |
Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD11M113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11M133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11M143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD12 | NXP |
获取价格 |
Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD123 | NXP |
获取价格 |
Ultra fast low-loss rectifier |
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| BYD127 | NXP |
获取价格 |
Ultra fast low-loss rectifier |
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| BYD127,135 | NXP |
获取价格 |
DIODE 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SOD-87, 2 PIN, Rectifi |
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| BYD127A | EIC |
获取价格 |
ULTRA FAST LOW-LOSS RECTIFIER |
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| BYD127Z | ZOWIE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST EFFICIENT RECTIFIER |
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