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BUZ72-E3046

更新时间: 2024-11-30 15:28:51
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 194K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN

BUZ72-E3046 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.26雪崩能效等级(Eas):59 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):10 A最大漏源导通电阻:0.2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BUZ72-E3046 数据手册

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