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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.46 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 70 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 115 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 75 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ73A-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73A-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73AH | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ73AL | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) |
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| BUZ73AL-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73AL-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73AL-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73ALH | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ73ALHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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