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BUZ73HKSA1

更新时间： 2024-09-30 21:11:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	1580K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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BUZ73HKSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUZ73HKSA1 数据手册

BUZ 73

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Pb-free

V_DS

I_D

R_DS(on

)

BUZ 73

200 V

7 A

0.4

Ω

PG-TO220-3

Yes

Values

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Unit

Continuous drain current

T = 28 ˚C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 ˚C

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

6.5

jmax

Ω

I = 7 A, V = 50 V, R = 25

L = 3.67 mH, T = 25 ˚C

120

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 ˚C

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150

˚C

stg

Thermal resistance, chip case

≤

3.1

K/W

thJC

thJA

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

55 / 150 / 56

Rev. 2.2

Page 1

2007-01-16

2009-03-25

Rev. 2.3

12 3 4 5 6 7...10

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与BUZ73HKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUZ73HXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BUZ73L	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level)
BUZ73LC67078-S1328-A2	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR LOGIK MOSFET TO 220
BUZ73L-E3044	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BUZ73L-E3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BUZ73L-E3046	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BUZ73LH	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor
BUZ74	COMSET	获取价格	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
BUZ74	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ74	STMICROELECTRONICS	获取价格	2.4A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN