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BUZ73L-E3045

更新时间: 2024-02-07 07:20:50
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 188K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN

BUZ73L-E3045 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.46其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):120 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):7 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):95 pFJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:40 W最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):180 ns最大开启时间(吨):110 ns

BUZ73L-E3045 数据手册

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