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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.63 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ73HKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ73HXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ73L | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) |
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| BUZ73LC67078-S1328-A2 | INFINEON |
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TRANSISTOR LOGIK MOSFET TO 220 |
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| BUZ73L-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ73L-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ73L-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ73LH | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ74 | COMSET |
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| BUZ74 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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