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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ73AH | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ73AL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) |
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| BUZ73AL-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BUZ73AL-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BUZ73AL-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73ALH | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ73ALHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ73H | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ73H3046XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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