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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.23 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ73AC67078-S1317A3 | INFINEON |
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TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
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| BUZ73A-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73A-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73A-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73AH | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ73AL | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) |
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| BUZ73AL-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73AL-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73AL-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ73ALH | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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