BUT211

更新时间： 2024-01-08 22:37:38

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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7页	74K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BUT211 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	32 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BUT211 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

BUT211

GENERAL DESCRIPTION

Enhanced performance, new generation, high speed switching npn transistor in TO220AB envelope specially suited

for high frequency electronic lighting ballast applications.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

V_CESM

V_CEO

I_C

Collector-emitter voltage peak value

V_BE= 0 V

850

400

Collector-emitter voltage (open base)

Collector current (DC)

I_CM

Collector current peak value

Total power dissipation

Collector-emitter saturation voltage

Inductive fall time

P_tot

V_CEsat

t_f

_mb≤ 25 ˚C

100

2.0

0.1

I_C= 3.0 A; I_B= 0.4 A

I_Con= 3.0 A; I_Bon= 0.3 A

µs

PINNING - TO220AB

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

tab

base

collector

emitter

tab collector

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. MAX. UNIT

V_CESM

V_CEO

I_C

Collector-emitter voltage peak value

V_BE= 0 V

850

400

Collector-emitter voltage (open base)

Collector current (DC)

I_CM

I_B

Collector current peak value

Base current (DC)

100

150

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Base current peak value

Total power dissipation

Storage temperature

T_mb≤ 25 ˚C

˚C

-65

Junction temperature

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

R_{th j-a}

Junction to mounting base

Junction to ambient

1.25

K/W

in free air

March 1996

Rev 1.100

12 3 4 5 6 7

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