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BUT21B

更新时间： 2024-11-15 01:18:07

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无锡固电 - ISC		/
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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUT21B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUT21B/C

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 400V(Min)- BUT21B

450V(Min)- BUT21C

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use in converters, inverters, switching

regulators, motor control systems etc.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

750

850

400

450

UNIT

BUT21B

BUT21C

BUT21B

BUT21C

Collector-Emitter Voltage

V_BE= 0

V_CES

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_BM

P_C

T_J

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

100

150

-65~150

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.25

℃/W

R_{th j-c}

isc website：www.iscsemi.cn

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