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BUT33

更新时间： 2024-11-13 22:39:43
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管达林顿晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 287K
描述
56 AMPERES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 600 VOLTS 250 WATTS

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BUT33 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BFM包装说明：TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.46
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：56 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-204AE
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：0.03 MHzBase Number Matches：1

BUT33 数据手册

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by BUT33/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
56 AMPERES  
NPN SILICON  
POWER DARLINGTON  
TRANSISTOR  
600 VOLTS  
250 WATTS  
The BUT33 Darlington transistor is designed for high–voltage, high–speed, power  
switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for  
line operated SWITCHMODE applications such as:  
•
•
•
•
•
AC and DC Motor Controls  
Switching Regulators  
Inverters  
Solenoid and Relay Drivers  
Fast Turn Off Times  
CASE 197A–05  
TO–204AE  
(TO–3)  
800 ns Inductive Fall Time at 25 C (Typ)  
2.0 µs Inductive Storage Time at 25 C (Typ)  
Operating Temperature Range –65 to 200 C  
•
≈
100  
≈ 16  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
BUT33  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
V
400  
600  
10  
CEO(sus)  
V
CEV  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak (1)  
I
C
56  
75  
I
I
I
CM  
Base Current — Continuous  
Base Current — Peak (1)  
I
B
12  
15  
Adc  
Adc  
BM  
Free Wheel Diode Forward Current — Continuous  
Free Wheel Diode Forward Current — Peak  
I
F
56  
75  
FM  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
P
250  
140  
Watts  
C
D
@ T = 100 C  
C
Derate above 25 C  
W/ C  
C
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
J
–65 to +200  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
0.7  
Unit  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θJC  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose  
1/8″ from Case for 5 Seconds  
T
L
275  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle 10%.  
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.  
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUT33/D ETC

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 		SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Darlington Transistors with Base-Emitter Speedup Diode
BUT34 MOTOROLA

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 		50 AMPERES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 850 VOLTS 250 WATTS
BUT35 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 700V V(BR)CEO | 40A I(C) | TO-204AE
BUT46 ANALOGICTECH

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BUT46 ISC

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