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BUT30V

更新时间： 2024-11-13 22:39:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	108K
描述
NPN TRANSISTOR POWER MODULE

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BUT30V 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ISOTOP-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.82
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	125 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	200 ns	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	250 W	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	2200 ns
VCEsat-Max：	0.9 V	Base Number Matches：	1

BUT30V 数据手册

BUT30V

NPN TRANSISTOR POWER MODULE

■

NPN TRANSISTOR

HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE

VERY LOW R_thJUNCTION CASE

SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD

AREAS

■

ISOLATED CASE (2500V RMS)

EASY TO MOUNT

LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE

APPLICATIONS:

Pin 4 not connected

■

MOTOR CONTROL

SMPS & UPS

WELDING EQUIPMENT

ISOTOP

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= -5 V)

Value

200

Unit

V_CEV

V_CEO(sus)Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

125

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

100

Collector Peak Current (t_p= 10 ms)

Base Current

150

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Base Peak Current (t_p= 10 ms)

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Storage Temperature

250

^oC

-55 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

Insulation Withstand Voltage (AC-RMS)

V_ISO

2500

1/7

July 1997

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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