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BUK9880-55-T

更新时间： 2024-09-25 19:32:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	224K
描述
3.5A, 55V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 4 PIN

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BUK9880-55-T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-73
包装说明：	PLASTIC, SC-73, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.25
其他特性：	ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	30 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9880-55-T 数据手册

BUK9880-55

N-channel TrenchMOS logic level FET

19 March 2014

Product data sheet

1. General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

2. Features and benefits

AEC Q101 compliant

Electrostatically robust due to integrated protection diodes

Low conduction losses due to low on-state resistance

•

3. Applications

Automotive and general purpose power switching

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

T_sp= 25 °C

7.5

8.3

P_tot

total power dissipation T_sp= 25 °C; Fig. 4

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-

V_GS= 5 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C

mΩ

I_D= 2.5 A; V_sup≤ 25 V; R_GS= 50 Ω;

V_GS= 5 V; T_j(init)= 25 °C; unclamped

source avalanche

energy

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9880-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 7.5A I(D) \| SOT-223
BUK9907-40ATC	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS logic level FET
BUK9907-40ATC,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS logic level FET TO-220 5-Pin
BUK9907-55ATE	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS logic level FET
BUK9907-55ATE,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS logic level FET TO-220 5-Pin
BUK993-60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| SOT-263
BUK995-60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 34A I(D) \| SOT-263
BUK9C10-55BIT	NXP	获取价格	POWER, FET
BUK9C10-65BIT	NXP	获取价格	75A, 65V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-7
BUK9C10-65BIT,118	NXP	获取价格	BUK9C10-65BIT - N-channel TrenchPLUS logic level FET D2PAK 7-Pin

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