BUK9830-30

更新时间： 2024-11-12 22:32:31

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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10页	59K
描述
TrenchMOS transistor Logic level FET

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BUK9830-30 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5.9 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	23.6 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9830-30 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

TrenchMOS transistor

Logic level FET

BUK9830-30

GENERAL DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

N-channel enhancement mode logic

level field-effect power transistor in a

plastic envelope suitable for surface

SYMBOL

PARAMETER

MAX.

UNIT

V_DS

I_D

Drain-source voltage

12.8

5.9

8.3

150

˚C

mΩ

mounting.

Using

’trench’

Drain current (DC) T_sp= 25 ˚C

Drain current (DC) T_amb= 25 ˚C

Total power dissipation

Junction temperature

Drain-source on-state

resistance

technology, the device features very

low on-state resistance and has

integral zener diodes giving ESD

protection up to 2kV. It is intended for

use in automotive and general

purpose switching applications.

P_tot

T_j

R_DS(ON)

V_GS= 5 V

PINNING - SOT223

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

gate

drain

source

drain (tab)

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DS

V_DGR

±V_GS

I_D

Drain-source voltage

12.8

5.9

4.1

23.6

8.3

1.8

150

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

R_GS= 20 kΩ

T_sp= 25 ˚C

T_amb= 25 ˚C

T_sp= 100 ˚C

T_amb= 100 ˚C

T_sp= 25 ˚C

T_amb= 25 ˚C

T_sp= 25 ˚C

T_amb= 25 ˚C

I_D

Drain current (DC)

I_DM

Drain current (pulse peak value)

Total power dissipation

P_tot

˚C

T_stg, T_j

Storage & operating temperature

- 55

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP.

MAX.

UNIT

R_{th j-sp}

Thermal resistance junction to

solder point

Mounted on any PCB

K/W

R_{th j-amb}

Thermal resistance junction to

ambient

Mounted on PCB of Fig.19

K/W

December 1997

Rev 1.100

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9830-30,115	NXP	获取价格	5.9A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK9830-30,135	NXP	获取价格	5.9A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK9830-30115	NXP	获取价格	TRANSISTOR 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
BUK9830-30135	NXP	获取价格	TRANSISTOR 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
BUK9832-55A	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9832-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9832-55A,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin
BUK9832-55AT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 12 A, 50 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, FET
BUK9832-55ATRL	NXP	获取价格	12A, 55V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK9832-55ATRL13	NXP	获取价格	12A, 55V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN

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