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BUK9840-55,115

更新时间： 2024-09-25 20:09:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	134K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin

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BUK9840-55,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-73	包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	7.38	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10.7 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	8.3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9840-55,115 数据手册

BUK9840-55

T223

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 03 — 20 April 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 AEC Q101 compliant

 Low conduction losses due to low

on-state resistance

 Electrostatically robust due to

integrated protection diodes

1.3 Applications

 Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

T_sp= 25 °C

I_D

10.7

1.8

P_tot

total power dissipation T_amb= 25 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

V_GS= 5 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C

mΩ

I_D= 3.6 A; V_sup≤ 25 V; R_GS= 50 Ω;

drain-source

V_GS= 5 V; T_j(init)= 25 °C; unclamped

avalanche energy

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK9840-55	NXP	功能相似	TrenchMOS transistor Logic level FET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9840-55/CU	NXP	获取价格	POWER, FET
BUK9840-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 10.7A I(D) \| SOT-223
BUK9875-100A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9875-100A	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9875-100A,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin
BUK9875-100A/CU	NXP	获取价格	POWER, FET
BUK9875-100ATRL	NXP	获取价格	7A, 100V, 0.084ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK9875-100ATRL13	NXP	获取价格	7A, 100V, 0.084ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK9880-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9880-55,115	NXP	获取价格	3.5A, 55V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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